Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR120NTRPBF, 100В, 11А, DPAK (набір 20 шт.)
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM074507
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR120NTRPBF, 100В, 11А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IRLR120NTRPBF. Компоненти в корпусі DPAK розраховані на напругу 100 В та струм 11 А, що підходить для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дренаж-джерело: 100 В
- Струм дренажу: 11 А
- Потужність розсіювання: 39 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні характеристики
Транзистори мають канал збагаченого типу та працюють за технологією HEXFET®. Максимальна розсіювана потужність становить 39 Вт. Елементи є уніполярними, що визначає їхню специфіку використання в електричних схемах.
Корпус та монтаж
У пакеті постачається 20 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴