Транзистор N-MOSFET Vishay IRLR110PBF, 100В, 2,7А, DPAK (набір 20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM035875
Транзистор N-MOSFET Vishay IRLR110PBF, 100В, 2,7А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRLR110PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі DPAK (TO252) для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 2,7 А (імпульсний до 17 А)
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 2,7 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 17 А, а потужність розсіювання становить 25 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252) для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектність
У наборі постачається 20 транзисторів IRLR110PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 540 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴