Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML6346TRPBF, 30В, 2,7А, SOT23, комплект 50 шт.
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM074505
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML6346TRPBF, 30В, 2,7А, SOT23, комплект 50 шт.В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML6346TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 50 штук у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 30 В
- Струм стоку: 2,7 А (постійний), 17 А (імпульсний)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 80 мОм
- Комплектація: 50 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга між стоком і витоком становить 30 В. Постійний струм стоку дорівнює 2,7 А, а в імпульсному режимі — до 17 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,8 Вт.
Технологія та керування
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Опір у відкритому стані становить 80 мОм. Транзистор має логічний рівень керування (logic level). Максимальна напруга на затворі становить ±12 В, а заряд затвора — 2,9 нКл.
Монтаж та комплектація
Компоненти виконані у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). У пакуванні міститься 50 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴