Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2803TRPBF, SOT23, 30V, 1,2A (набір 60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2803TRPBF у корпусі SOT23 — це уніполярний компонент із логічним рівнем керування. Набір складається з 60 штук.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачений
• Напруга дрена-джерела: 30 В
• Струм дрена: 1,2 А
• Потужність розсіювання: 0,4 Вт
• Опір у стані провідності: 0,3 Ом
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Логічний рівень керування (logic level)
• Кількість у наборі: 60 шт.

Технічні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 30 В та максимальний струм дрена 1,2 А. Потужність розсіювання становить 0,4 Вт, а опір у стані провідності — 0,3 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23 із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

У комплекті постачається 60 транзисторів. Транзистор має канал збагаченого типу. Технологія HEXFET® визначає конструктивні особливості структури напівпровідника.