Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2060TRPBF, 60В, 1,2А, SOT23, набір 60 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM074502
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML2060TRPBF, 60В, 1,2А, SOT23, набір 60 шт.В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 60 транзисторів Infineon IRLML2060TRPBF типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Компоненти розраховані на напругу 60 В та струм 1,2 А, призначені для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-виток: 60 В
- Струм стіка: 1,2 А
- Потужність розсіювання: 1,25 Вт
- Корпус: SOT23 (SMD монтаж)
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 60 шт.
Технічні параметри
Транзистори мають максимальну напругу стік-виток 60 В та постійний струм стіка 1,2 А. Потужність розсіювання становить 1,25 Вт. Це уніполярні прилади з каналом збагачення.
Особливості конструкції
Компоненти виготовлені за технологією HEXFET®. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 60 штук. Транзистори мають логічний рівень керування (logic level), що спрощує підключення до цифрових схем. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.2 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴