Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML0060TRPBF, 60В, 2,7А, SOT23 (набір 40 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM035874
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLML0060TRPBF, 60В, 2,7А, SOT23 (набір 40 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів Infineon IRLML0060TRPBF типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Призначені для монтажу на поверхню плати (SMD) та роботи з логічним рівнем керування.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 2,7 А
- Потужність розсіювання: 1,25 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні характеристики
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та витримує струм дрена 2,7 А. Потужність розсіювання становить 1,25 Вт. Компонент є уніполярним із збагачуваним каналом, що визначає його поведінку в схемах.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у компактному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення дозволяє розміщувати транзистори на друкованих платах із високою щільністю.
Технологія HEXFET®
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®, яка впливає на його ключові параметри. Це фірмова технологія Infineon, що використовується в силових MOSFET-транзисторах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴