Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, 55В, 4А, SOT223, набір 30 шт.

Набір із 30 транзисторів N-MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF у корпусі SOT223. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та працюють у схемах із напругою до 55 В та струмом до 4 А.

• Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Максимальна напруга дренаж-джерело: 55 В
• Постійний струм дренажу: 4 А (імпульсний до 40 А)
• Опір у відкритому стані: 60 мОм
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу дренаж-джерело 55 В та постійний струм дренажу 4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 40 А, що дозволяє використовувати компонент у силових ключах. Опір у відкритому стані становить 60 мОм, що знижує втрати потужності під час роботи.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що забезпечує стабільні характеристики. Корпус SOT223 призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Максимальна розсіювана потужність становить 1 Вт.

Заряд затвора та керування

У пакеті постачається 30 транзисторів, що зручно для прототипування або серійного виробництва невеликих партій.