Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55В, 4,4А, SOT223 (комплект 30 шт.)

2 730 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019159
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55В, 4,4А, SOT223 (комплект 30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55В, 4,4А, SOT223 (комплект 30 шт.)В наявності
2 730 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) і поставляється комплектом із 30 штук.

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга стік-джерело: 55 В
  • Струм стоку: 4,4 А
  • Опір у відкритому стані: 65 мОм
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Комплект: 30 штук

Електричні параметри та надійність

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 55 В та струм стоку 4,4 А, що дозволяє використовувати його в середньопотужних ланцюгах живлення та керування. Опір у відкритому стані становить 65 мОм. Максимальна розсіювана потужність обмежена 2,1 Вт.

Зручність керування та технологія

Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Компонент має властивість Logic Level. Напруга затвор-джерело становить ±16 В.

Монтаж та комплектація

Корпус SOT223 та тип монтажу SMD. Комплект із 30 транзисторів. Заряд затвора становить 10,4 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання2.1 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік16 В
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимально допустимий струм стоку4.4 А
Опір у відкритому стані (Rds)65 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSOT223
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 730 ₴