
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, 55В, 4,4А, SOT223 (комплект 30 шт.)
2 730 ₴
- В наявності
- Код: TM019159
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) і поставляється комплектом із 30 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 55 В
- Струм стоку: 4,4 А
- Опір у відкритому стані: 65 мОм
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплект: 30 штук
Електричні параметри та надійність
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 55 В та струм стоку 4,4 А, що дозволяє використовувати його в середньопотужних ланцюгах живлення та керування. Опір у відкритому стані становить 65 мОм. Максимальна розсіювана потужність обмежена 2,1 Вт.
Зручність керування та технологія
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Компонент має властивість Logic Level. Напруга затвор-джерело становить ±16 В.
Монтаж та комплектація
Корпус SOT223 та тип монтажу SMD. Комплект із 30 транзисторів. Заряд затвора становить 10,4 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 730 ₴
