Транзистор N-MOSFET Vishay IRLI640GPBF, 200V, 9.9A, TO220FP (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay IRLI640GPBF у корпусі TO220FP. Ці напівпровідникові прилади призначені для електронних схем із напругою до 200 В.

• Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay IRLI640GPBF
• Максимальна напруга дрена-джерела: 200 В
• Постійний струм дрена: 9,9 А (імпульсний до 40 А)
• Потужність розсіювання: 40 Вт
• Опір у стані провідності: 0,18 Ом
• Корпус TO220FP, монтаж THT

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 200 В та постійний струм дрена 9,9 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із підвищеними вимогами до ізоляції та навантаження. Імпульсний струм може досягати 40 А, що забезпечує надійну роботу при короткочасних пікових навантаженнях.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 40 Вт. Корпус TO220FP (Full Pack) забезпечує монтаж на друковану плату.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,18 Ом. Низьке значення опору зменшує втрати енергії.

Зручний монтаж та комплектація

Компоненти мають тип монтажу THT (скрізь отвори). У комплекті постачається 10 штук. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Напруга затвор-джерело становить ±10 В, а заряд затвора — 66 нКл.