Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB8314PBF, 30V, 120A, TO220AB, комплект 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB8314PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації високих струмів у силових електронних схемах. Компонент поставляється комплектом із 20 штук. Модель виготовлена за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB.

• Струм стоку 120 А та імпульсний струм 664 А для потужних схем
• Низький опір каналу 2,4 мОм у стані провідності
• Корпус TO220AB для вивідного монтажу (THT)
• Виготовлений за технологією HEXFET®
• У комплекті 20 шт.
• Напруга стік-витік 30 В та розсіювана потужність 125 Вт

Висока струмова навантаженість

Транзистор працює з постійним струмом стоку 120 А та витримує імпульсний струм до 664 А. Це дозволяє використовувати компонент у потужних інверторах, контролерах двигунів та джерелах живлення, де потрібна комутація значних навантажень з урахуванням теплового режиму. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою.

Низький опір у відкритому стані

Опір каналу у стані провідності дорівнює 2,4 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, зменшуючи втрати потужності на транзисторі. Це особливо важливо для акумуляторних систем та енергоефективних пристроїв, де кожен мікроом опору впливає на час автономної роботи.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у корпусі TO220AB для вивідного монтажу (THT), що спрощує пайку та заміну на друкованих платах. Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Виготовлений за технологією HEXFET®.

Транзистор Infineon IRLB8314PBF підходить інженерам та майстрам, які створюють або обслуговують силові електронні пристрої з високими вимогами до струмової навантаженості та енергоефективності.