Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF, 30V, 100A, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4132PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує запас компонентів для складання пристроїв. Прилад виготовлений за технологією HEXFET®, що гарантує стабільні параметри та ефективну роботу в силових ланцюгах.

• Комплект із 10 транзисторів
• Струм стоку 100 А, імпульсний 620 А
• Напруга стік-витік 30 В
• Опір у відкритому стані 3,5 мОм
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Технологія HEXFET®

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 100 А та імпульсний струм до 620 А. Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим навантаженням.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік дорівнює 30 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 3,5 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання при роботі.

Тип каналу та полярність

Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Це означає, що прилад закритий при нульовій напрузі на затворі та відкривається лише при подачі керуючого сигналу, що спрощує схеми керування.