Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3036PBF, 60В, 270А, 380Вт, TO220AB (набір 10 шт.)

2 460 ₴

  • В наявності
  • Код: TM074497
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3036PBF, 60В, 270А, 380Вт, TO220AB (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3036PBF, 60В, 270А, 380Вт, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3036PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату. Комплект складається з 10 одиниць.

  • Максимальна потужність розсіювання 380 Вт
  • Струм стоку до 270 А
  • Напруга стік-витік 60 В
  • Корпус TO220AB для вивідного монтажу
  • Технологія HEXFET®
  • Комплект із 10 транзисторів

Потужність та струм

Максимальна потужність розсіювання становить 380 Вт, що дозволяє транзистору працювати в режимах високого навантаження. Максимально допустимий струм стоку — 270 А, що забезпечує комутацію значних струмів у силових ланцюгах.

Напруга та технологія

Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 60 В, що визначає верхню межу робочої напруги схеми. Прилад виготовлений за технологією HEXFET®, яка є фірмовим рішенням виробника для оптимізації характеристик MOSFET.

Монтаж та комплектація

Корпус TO220AB призначений для вивідного монтажу (THT). У наборі постачається 10 шт. транзисторів. Транзистор має логічний рівень керування (logic level). Заряд затвора становить 91 нКл.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання380 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік16 В
Максимально допустима напруга стік-витік60 В
Максимально допустимий струм стоку270 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.4 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 460 ₴