Транзистор N-MOSFET Infineon IRL60HS118, 60В, 13А, PQFN2X2, комплект 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRL60HS118 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 13 А. Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 5 у корпусі PQFN2X2 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: 60 В
• Струм стіка: 13 А
• Розсіювана потужність: 5,8 Вт
• Корпус: PQFN2X2, монтаж SMD
• Технологія: OptiMOS™ 5
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 60 В та витримує напругу затвор-витік ±20 В. Струм стіка становить 13 А, а розсіювана потужність — 5,8 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 17 мОм, що зменшує втрати енергії при відкритому каналі. Заряд затвора 5,3 нКл визначає швидкість перемикання транзистора.

Корпус та монтаж

Компонент розміщений у корпусі PQFN2X2, що забезпечує компактність та ефективне відведення тепла. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж), що підходить для автоматизованого виробництва друкованих плат. Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ 5, що характеризується низьким опором у стані провідності.

Опір у стані провідності та заряд затвора

Товар поставляється набором із 30 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання. Символ виробника IRL60HS118 відповідає моделі Infineon Technologies.