Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ46NLPBF, 55В, 53А, TO262, набір 20 шт.
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM035871
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ46NLPBF, 55В, 53А, TO262, набір 20 шт.В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFZ46NLPBF у корпусі TO262. Призначені для монтажу на плату з виведеннями (THT). Ключові параметри: напруга дрен-джерело 55 В, струм дрену 53 А, розсіювана потужність 120 Вт.
- Набір із 20 транзисторів N-MOSFET
- Корпус TO262 для монтажу THT
- Напруга дрен-джерело 55 В
- Струм дрену 53 А
- Розсіювана потужність 120 Вт
- Опір у стані провідності 16,5 мОм
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між дренером і джерелом становить 55 В, а напруга на затворі — ±20 В. Струм дрену становить 53 А. Опір у стані провідності становить 16,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO262. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology), тобто виведення проходять крізь отвори в платі. Використовується технологія виготовлення HEXFET®. Заряд затвора становить 48 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 120 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 53 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO262 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴