Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ34NPBF, 55В, 26А, TO220AB (комплект 30 шт.)
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM074494
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ34NPBF, 55В, 26А, TO220AB (комплект 30 шт.)В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRFZ34NPBF. Призначені для вивідного монтажу (THT) у корпусах TO220AB.
- Струм дрена 26 А
- Напруга дрена-джерела 55 В
- Потужність розсіювання 56 Вт
- Опір у стані провідності 40 мОм
- Корпус TO220AB для вивідного монтажу
- Комплект із 30 транзисторів
Технічні характеристики
Транзистори мають напругу дрена-джерела 55 В та струм дрена 26 А. Потужність розсіювання становить 56 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 40 мОм.
Особливості конструкції
Використовується технологія HEXFET®. Корпус TO220AB призначений для вивідного монтажу (THT). Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 22,7 нКл.
Комплектація
У пакуванні знаходиться 30 одиниць транзисторів IRFZ34NPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 26 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴