Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ24NPBF, 55В, 17А, TO220AB, комплект 30 шт.
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM074493
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ24NPBF, 55В, 17А, TO220AB, комплект 30 шт.В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFZ24NPBF у корпусі TO220AB. Призначений для монтажу на плату з виводами (THT). Кожний транзистор розрахований на напругу 55 В та струм 17 А.
- Комплект із 30 транзисторів
- Напруга стік-витік 55 В
- Струм стіка 17 А
- Потужність розсіювання 45 Вт
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Технологія HEXFET®
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 55 В та максимальний струм стіка 17 А. Потужність розсіювання становить 45 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 70 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — THT (виводний), що дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованої плати. Технологія виготовлення HEXFET®.
Комплектація
Упаковка містить 30 однакових транзисторів IRFZ24NPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 17 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴