Транзистор N-MOSFET Vishay IRFUC20PBF, 600 В, 1,3 А, IPAK (набір 20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Vishay IRFUC20PBF у корпусі IPAK (TO251). Призначені для монтажу на плату з виводами (THT), призначені для роботи у високовольтних схемах.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 1,3 А
• Потужність розсіювання: 42 Вт
• Корпус: IPAK (TO251), монтаж THT
• Заряд затвора: 18 нКл
• Опір у стані провідності: 4,4 Ом
• Кількість у наборі: 20 шт.

Висока напруга та надійність

Транзистори розраховані на напругу дрена-джерела до 600 В, що підходять для застосування у високовольтних схемах. Максимальний струм дрена становить 1,3 А, а потужність розсіювання — 42 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон транзистора.

Зручний монтаж та корпус

Компоненти виконані у корпусі IPAK (TO251) з технологією монтажу THT (через отвори). Монтаж THT виконується через отвори на друкованій платі. Корпус IPAK (TO251) є поширеним типом корпусу для силових транзисторів.

Електричні параметри та керування затвором

Заряд затвора становить 18 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Опір у стані провідності дорівнює 4,4 Ом. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення, що визначає специфіку його ввімкнення у схемах керування.