Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU4615PBF — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 33 А при напрузі 150 В. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі IPAK для монтажу в отвори (THT).
- Набір із 10 транзисторів
- Напруга стік-витік 150 В
- Струм стоку 33 А
- Опір у відкритому стані 42 мОм
- Розсіювана потужність 144 Вт
- Корпус IPAK, монтаж THT
Технічні параметри
Прилад працює з напругою стік-витік 150 В та витримує постійний струм стоку 33 А. Опір у відкритому стані становить 42 мОм. Загальна розсіювана потужність дорівнює 144 Вт, а заряд затвора — 26 нКл.
Особливості конструкції
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Монтаж виконується у отвори (THT), корпус типу IPAK.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 144 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴

