Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL7437PBF, 40V, 180A, TO262, набір 10 шт.

Набір із 10 потужних N-MOSFET транзисторів Infineon IRFSL7437PBF у корпусі TO262. Компоненти призначені для комутації високих струмів у силових електронних схемах та імпульсних джерелах живлення. Завдяки низькому опору відкритого каналу вони забезпечують ефективну роботу з мінімальними втратами енергії.

• Струм стоку 180 А та імпульсний струм 1 кА
• Низький опір відкритого каналу 1,8 мОм
• Розсіювана потужність 230 Вт
• Корпус TO262 для монтажу через отвори (THT)
• Напруга стік-витік 40 В
• Набір із 10 транзисторів

Потужність та струмові характеристики

Транзистори витримують постійний струм стоку до 180 А та імпульсний струм до 1 кА при напрузі стік-витік 40 В. Максимальна розсіювана потужність становить 230 Вт, що дозволяє використовувати їх у потужних інверторах, контролерах двигунів та акумуляторних системах. Висока допустима навантаженість робить компонент універсальним рішенням для промислових та аматорських проектів із великим енергоспоживанням.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 230 Вт, що вимагає якісного охолодження. Корпус TO262 з монтажем THT (через отвори) забезпечує надійний контакт із радіатором. Така конструкція спрощує монтаж на друкованій платі та дозволяє ефективно відводити тепло під час тривалої роботи під навантаженням.

Технологія HEXFET® та низький опір

Використання технології HEXFET® забезпечує низький опір у стані провідності — 1,8 мОм. Це зменшує нагрівання компонента та підвищує загальний ККД пристрою. Заряд затвора 225 нКл вимагає відповідного драйвера, але гарантує швидке перемикання та стабільну роботу при напрузі затвор-витік ±20 В.