Транзистор N-MOSFET Vishay IRFSL11N50APBF, 500В, 7А, I2PAK/TO262 — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFSL11N50APBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 500 В та струмом до 7 А. Товар постачається комплектом із 20 штук у корпусах I2PAK та TO262, що забезпечує зручний монтаж на друковані плати.

• Напруга стік-виток: 500 В
• Струм стоку: 7 А
• Потужність розсіювання: 190 Вт
• Корпуси: I2PAK, TO262
• Тип монтажу: THT (вивідний)
• Комплект: 20 шт.

Висока напруга та струм

Компонент витримує напругу між витоком та стоком до 500 В, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим потенціалом. Максимальний струм стоку становить 7 А, що забезпечує надійне комутацію значних навантажень. Напруга на затворі обмежена ±30 В, що вимагає дотримання параметрів керуючого сигналу.

Потужність розсіювання

Потужність розсіювання транзистора сягає 190 Вт. Цей параметр визначає максимальну теплову навантаження на компонент під час роботи. Транзистор розрахований на експлуатацію в умовах, де відводиться така кількість тепла.

Зручний монтаж та корпус

Транзистор виготовлений у корпусах I2PAK та TO262, що підтримують технологію вивідного монтажу (THT). Таке виконання спрощує процес встановлення компонентів на друковані плати та їх заміну в разі потреби. Корпуси забезпечують механічну стійкість та зручність у роботі з інструментом.

Електричні характеристики

Опір у відкритому стані становить 0,55 Ом, що впливає на теплові втрати при проходженні струму. Загальний заряд затвора дорівнює 51 нКл, що визначає швидкість перемикання та навантаження на керуючий вузол. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Це визначає принцип його роботи та підключення до керуючих ланцюгів.

Транзистор Vishay IRFSL11N50APBF у комплекті з 20 штук підходить для радіоаматорів, інженерів та виробників електронних пристроїв, які потребують силових ключів для високовольтних застосувань.