Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, 75В, 174А, D2PAK (5 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM035869
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, 75В, 174А, D2PAK (5 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 одиниць. Прилад розрахований на напругу 75 В та постійний струм 174 А.
- Струм стоку 174 А, імпульсний 984 А
- Напруга стік-витік 75 В
- Розсіювана потужність 375 Вт
- Опір у відкритому стані 2,6 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Комплект: 5 транзисторів
Потужність та струм
Транзистор витримує постійний струм стоку 174 А та імпульсний струм до 984 А. Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт. Опір у відкритому стані становить 2,6 мОм.
Електричні параметри
Напруга стік-витік (Vds) дорівнює 75 В, а напруга затвор-витік (Vgs) — ±20 В. Прилад є уніполярним із каналом збагачення (enhancement mode). Застосована технологія HEXFET®.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD. Корпус D2PAK призначений для монтажу на поверхню. Заряд затвора становить 407 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 174 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴