Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4615TRLPBF, 150В, 33А, D2PAK, 10 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM035867
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4615TRLPBF, 150В, 33А, D2PAK, 10 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4615TRLPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Струм стіка: 33 А
- Розсіювана потужність: 144 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та постійний струм стіка 33 А. Максимальна розсіювана потужність становить 144 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В, що є стандартним для MOSFET-структур.
Технологія HEXFET®
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що є фірмовою структурою Infineon для MOSFET-приладів. Ця технологія визначає внутрішню будову транзистора та його електричні характеристики, зазначені в специфікації.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 144 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 33 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴