Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4010TRLPBF, 100В, 127А, D2PAK (5 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM074487
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4010TRLPBF, 100В, 127А, D2PAK (5 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4010TRLPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна потужність розсіювання: 375 Вт
- Максимально допустимий струм стоку: 127 А
- Максимально допустима напруга стік-витік: 100 В
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 375 Вт. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 127 А.
Технологія виготовлення
Максимально допустима напруга стік-витік становить 100 В. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із типом монтажу SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 127 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴