Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF, 60В, 110А, D2PAK, набір 10 шт.

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF у корпусі D2PAK. Компоненти призначені для силових схем із навантаженням до 110 А та напругою до 60 В.

• Напруга стік-витік: 60 В
• Струм стоку: 110 А
• Імпульсний струм: 620 А
• Розсіювана потужність: 230 Вт
• Опір у стані провідності: 4,2 мОм
• Корпус: D2PAK (SMD)

Потужність та струм

Транзистори витримують постійний струм стоку 110 А та імпульсний до 620 А. Максимальна розсіювана потужність становить 230 Вт, що дозволяє використовувати їх у потужних силових модулях.

Низький опір та ефективність

Завдяки технології HEXFET® опір у стані провідності (Rds(on)) знижено до 4,2 мОм. Це зменшує нагрівання компонента та втрати енергії під час роботи.

Надійність та керування

Транзистори є уніполярними з каналом збагачення, що забезпечує стабільну роботу в силових схемах. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, що гарантує надійне керування та захист від перевантажень. Компоненти виготовлені у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD), що економить місце на платі та спрощує автоматизоване виробництво.