Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS11N50APBF, 500В, 7А, D2PAK (набір 10 шт.)
3 400 ₴
- В наявності
- Код: TM019147
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS11N50APBF, 500В, 7А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS11N50APBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 7 А. Товар постачається комплектом із 10 штук у корпусі D2PAK (TO263) для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 500 В
- Струм стоку: 7 А
- Розсіювана потужність: 170 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Комплектація: набір із 10 штук
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу стік-витік до 500 В. Максимальний постійний струм стоку становить 7 А. Напруга затвор-витік може сягати ±30 В.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 170 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,52 Ом. Заряд затвора становить 52 нКл.
Монтаж та комплектація
Компонент виконаний у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 520 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 400 ₴