Транзистор P-MOSFET Infineon IRFR5410TRPBF, DPAK, -100В, -13А, комплект 20 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM074482
Транзистор P-MOSFET Infineon IRFR5410TRPBF, DPAK, -100В, -13А, комплект 20 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon IRFR5410TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізується комплектом із 20 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -100 В
- Струм дрена: -13 А
- Потужність розсіювання: 66 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела -100 В та струм дрена -13 А. Потужність розсіювання становить 66 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента в складі пристрою.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що є фірмовим рішенням виробника. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD) на друковані плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 66 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴