Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR4104TRPBF, 40В, 119А, DPAK (набір 20 шт.)
2 830 ₴
- В наявності
- Код: TM074478
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR4104TRPBF, 40В, 119А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 830 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR4104TRPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана у корпусі DPAK.
- Струм стоку до 119 А
- Розсіювана потужність 140 Вт
- Корпус DPAK для поверхневого монтажу (SMD)
- Технологія HEXFET®
- Набір із 20 транзисторів
- Напруга стік-витік 40 В
Висока струмова навантаженість
Транзистор здатний пропускати струм стоку до 119 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт. Компонент виготовлений за технологією HEXFET®.
Зручність монтажу та комплектація
Компонент виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 119 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 830 ₴