Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR3910TRPBF, 100В, 15А, DPAK, набір 20 шт.
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM074477
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR3910TRPBF, 100В, 15А, DPAK, набір 20 шт.В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRFR3910TRPBF. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі DPAK та виготовлені за технологією HEXFET®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 15 А
- Потужність розсіювання: 52 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія виготовлення: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 15 А. Потужність розсіювання становить 52 Вт. Це однополярні (уніполярні) компоненти з каналом збагачення.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі DPAK. Спосіб монтажу — SMD (поверхневий).
Комплектація
У пакуванні міститься 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 52 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴