Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR3710ZTRPBF, 100В, 56А, DPAK (набір 20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IRFR3710ZTRPBF. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі DPAK, забезпечують комутацію струму до 56 А при напрузі 100 В.

• Напруга дренаж-джерело: 100 В
• Струм дренажу: 56 А
• Розсіювана потужність: 140 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технологія: HEXFET®
• Кількість у наборі: 20 шт.

Потужність та надійність

Транзистори виготовлені за технологією HEXFET®, що гарантує стабільну роботу силових ключів. Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт, що дозволяє використовувати компоненти в схемах із високими навантаженнями. Номінальний струм дренажу 56 А забезпечує ефективну комутацію в імпульсних джерелах живлення та двигунах.

Електричні параметри

Напруга дренаж-джерело (Vds) дорівнює 100 В, що робить транзистори придатними для систем із підвищеною напругою. Канал типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярна полярність визначають специфіку керування затвором. Компактний корпус DPAK спрощує розміщення на друкованих платах із щільним монтажем.

Комплектація та монтаж

У комплекті постачається 20 одиниць транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту. Тип монтажу SMD вимагає відповідного обладнання для пайки, але забезпечує компактність пристрою. Корпус DPAK має стандартні виводи, сумісні з типовими проектами електронних схем.

Транзистори підходять для інженерів та радіоаматорів, які працюють із силовими електронними схемами, де потрібна надійна комутація високих струмів у компактному виконанні.