Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR1N60APBF, 600 В, 0,89 А, DPAK (набір 30 шт.)

Набір із 30 транзисторів Vishay IRFR1N60APBF типу N-MOSFET у корпусі DPAK (TO252). Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу до 600 В і струм 0,89 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 600 В
• Струм стоку: 0,89 А (імпульсний до 5,6 А)
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Розсіювана потужність: 36 Вт
• Опір у відкритому стані: 7 Ом
• Комплектація: набір із 30 штук

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 600 В, а постійний струм стоку — 0,89 А. У імпульсному режимі струм може досягати 5,6 А. Напруга на затворі обмежена ±30 В, а опір у відкритому стані дорівнює 7 Ом.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані у корпусі DPAK, який також відомий як TO252. Це поверхневий монтаж (SMD).

Потужність та заряд затвора

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 36 Вт. Заряд затвора дорівнює 14 нКл.