Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR120PBF, 100В, 4.9А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR120PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрен-джерело 100 В та постійний струм дрену 4,9 А, що робить її придатною для комутаційних задач середньої потужності.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрен-джерело: 100 В
• Струм дрену: 4,9 А, імпульсний струм: 31 А
• Розсіювана потужність: 42 Вт
• Корпус DPAK (TO252), монтаж SMD
• Набір із 20 транзисторів

Тип та канал керування

Пристрій є уніполярним польовим транзистором типу N-MOSFET з каналом збагачення. Така конфігурація означає, що для відкриття каналу необхідна додатна напруга на затворі відносно витоку. Це стандартне рішення для схем комутації, де транзистор працює як електронний ключ.

Напруга та струм

Максимальна напруга дрен-джерело становить 100 В, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В. Номінальний струм дрену дорівнює 4,9 А, проте транзистор здатний витримувати імпульсний струм до 31 А. Ці параметри визначають межі роботи компонента в силових ланцюгах.

Опір та заряд затвора

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,27 Ом, що впливає на теплові втрати при протіканні струму. Заряд затвора становить 16 нКл, що характеризує кількість енергії, необхідної для перемикання транзистора. Ці характеристики важливі для розрахунку ефективності та швидкодії схеми.