Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR120NTRPBF, 100В, 9.1А, DPAK (набір 20 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM074472
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR120NTRPBF, 100В, 9.1А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR120NTRPBF — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлена за технологією HEXFET®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 9,1 А
- Потужність розсіювання: 39 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія виготовлення: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 9,1 А. Максимальна потужність розсіювання становить 39 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент має корпус DPAK, що забезпечує компактне розміщення на платі. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴