Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, 55В, 37А, DPAK (набір 20 шт.)
2 420 ₴
- В наявності
- Код: TM074471
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, 55В, 37А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлена за технологією HEXFET®.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 55 В
- Струм дрена: 37 А
- Потужність розсіювання: 107 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 55 В та максимальний струм дрена 37 А. Потужність розсіювання становить 107 Вт. Тип транзистора — N-MOSFET, полярність — уніполярна.
Корпус та монтаж
Компонент постачається в корпусі DPAK. Монтаж виконується за технологією SMD (Surface Mount Device). Технологія HEXFET® є фірмовим рішенням виробника.
Комплектація
Товар постачається набором із 20 штук. Кількість у комплекті: 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 107 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 37 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 420 ₴