Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR024NTRPBF, 55В, 16А, DPAK (набір 70 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM074470
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR024NTRPBF, 55В, 16А, DPAK (набір 70 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR024NTRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлена за технологією HEXFET®.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 55 В
- Струм дрена: 16 А
- Розсіювана потужність: 38 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 55 В та витримує струм дрена до 16 А. Максимальна розсіювана потужність становить 38 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електронних пристроях.
Корпус та монтаж
Компонент випускається в корпусі DPAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
Товар постачається набором із 70 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴