Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR014PBF, 60В, 4,9А, DPAK (набір 20 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM019142
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Vishay IRFR014PBF у корпусі DPAK (TO252). Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із навантаженням до 4,9 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачуваний
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 4,9 А (імпульсний до 31 А)
- Розсіювана потужність: 25 Вт
- Опір у стані провідності: 0,2 Ом
- Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 60 В та струм дрена 4,9 А. Опір у стані провідності становить 0,2 Ом, що забезпечує ефективну роботу при комутації. Максимальний імпульсний струм дрена досягає 31 А, а розсіювана потужність — 25 Вт.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі DPAK (TO252), що є стандартом для SMD-монтажу. Такий формат дозволяє компактно розміщувати транзистори на друкованих платах, заощаджуючи місце та спрощуючи автоматизацію виробництва.
Керування та заряд затвора
У наборі постачається 20 транзисторів. Це зручно для прототипування або серійного виробництва невеликих партій пристроїв, де використовується дана модель MOSFET.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
- Ціна: 2 570 ₴