Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, 200В, 94А, TO247AC (5 шт.)
2 390 ₴
- В наявності
- Код: TM074464
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, 200В, 94А, TO247AC (5 шт.)В наявності
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 200 В та струмом до 94 А. Товар поставляється комплектом із 5 штук у корпусі TO247AC з технологією HEXFET®.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 94 А
- Потужність розсіювання: 580 Вт
- Корпус: TO247AC, монтаж THT
- Комплект: 5 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та постійний струм стіка 94 А. Потужність розсіювання становить 580 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 23 мОм, а заряд затвора — 180 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247AC. Монтаж здійснюється вивідним методом (THT). Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±30 В.
Комплектація
У комплекті постачається 5 транзисторів IRFP90N20DPBF від виробника Infineon Technologies.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 580 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 94 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 390 ₴