Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4768PBFXKMA1, 250V, 66A, 520W, TO247AC (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4768PBFXKMA1 — це потужний силовий компонент для силових схем. Комплект із 5 штук забезпечує надійну роботу при напрузі 250 В та струмі 66 А, а корпус TO247AC спрощує монтаж на радіатор.

• Напруга дренаж-виток: 250 В
• Струм дренажу: 66 А
• Імпульсний струм: 370 А
• Потужність розсіювання: 520 Вт
• Корпус: TO247AC
• Комплект: 5 штук

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати до 520 Вт тепла, що дозволяє використовувати його в потужних силових схемах без ризику перегріву. Такий показник важливий для стабільної роботи обладнання під тривалим навантаженням.

Стійкість до пікових струмів

Номінальний струм дренажу становить 66 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 370 А. Це гарантує надійність при різких сплесках навантаження, характерних для імпульсних режимів роботи.

Зручний монтаж та технологія

Компонент виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO247AC з виводами для вивідного монтажу (THT). Така конструкція забезпечує ефективний відвід тепла та зручність пайки на друковану плату або радіатор.

Низький опір у стані провідності (Rds(on)) 17,5 мОм забезпечує мінімальні втрати енергії та нагрівання при протіканні струму. Це підвищує загальний ККД пристрою та дозволяє зменшити розміри радіатора охолодження. Низький опір особливо важливий для схем із високим струмом, де навіть незначні втрати можуть призвести до перегріву компонентів. Така характеристика підтверджує ефективність транзистора в режимах тривалого навантаження. Завдяки цьому компоненту вдається досягти стабільної роботи без зайвого енергоспоживання. ## Заряд затвора 180 нКл визначає швидкість перемикання транзистора та вимоги до драйвера затвора. Цей параметр впливає на час переходу між станами відкритий і закритий, що критично для високочастотних схем. Оптимальний заряд затвора дозволяє збалансувати швидкодію та втрати на перемикання. Це спрощує вибір керуючих схем та забезпечує стабільну роботу в динамічних режимах. ## Напруга затвор-виток ±20 В встановлює допустимі межі керуючого сигналу для надійної роботи транзистора. Дотримання цього параметра запобігає пробою ізолятора затвора та забезпечує довговічність компонента. Це важливо при проєктуванні схем керування, де потрібно точно підібрати рівні напруги. Стабільність параметра гарантує передбачувану поведінку транзистора в різних умовах експлуатації. ## Висока надійність та стійкість до перевантажень Транзистор Infineon IRFP4768PBFXKMA1 підходить для застосування в потужних силових схемах, де потрібна висока надійність та стійкість до перевантажень.