Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4468PBF, 100V, 290A, TO247AC (5 шт.)

Набір із 5 потужних N-MOSFET транзисторів Infineon IRFP4468PBF у корпусі TO247AC. Призначені для високопотужних силових схем, де важливі низький опір та ефективне відведення тепла.

• Струм дренажу: 290 А
• Напруга дренаж-витік: 100 В
• Розсіювана потужність: 520 Вт
• Опір у стані провідності: 2,6 мОм
• Корпус: TO247AC, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Висока струмова навантаженість

Транзистори витримують постійний струм дренажу до 290 А, що дозволяє використовувати їх у потужних інверторах та джерелах живлення. Така характеристика забезпечує стабільну роботу обладнання під значним навантаженням без перегріву.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 520 Вт, що робить ці компоненти придатними для промислових застосувань. Корпус TO247AC сприяє ефективному тепловідведенню, що критично важливо для довговічності силових вузлів.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює всього 2,6 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента. Це підвищує загальний ККД пристрою та зменшує потребу у громіздких системах охолодження.

Зручний монтаж та технологія

Компоненти виготовлені за технологією HEXFET®, що гарантує надійність та передбачувані характеристики. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), що спрощує пайку та заміну в готових пристроях. Напруга затвор-витік становить ±20 В, що забезпечує сумісність із типовими драйверами затворів та стабільне керування відкриванням транзистора.