Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4368PBFXKMA1, 75В, 350А, 520Вт, TO247AC (набір 3 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM074460
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4368PBFXKMA1, 75В, 350А, 520Вт, TO247AC (набір 3 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із трьох силових N-канальних MOSFET-транзисторів Infineon IRFP4368PBFXKMA1 у корпусі TO247AC. Це N-канальні MOSFET-транзистори з максимальною напругою стік-витік 75 В.
- Максимальна потужність розсіювання 520 Вт
- Струм стоку до 350 А
- Напруга стік-витік 75 В
- Корпус TO247AC, монтаж THT
- Технологія HEXFET®
- Набір із 3 транзисторів
Потужність розсіювання
Транзистори мають максимальну потужність розсіювання 520 Вт. Максимальна потужність розсіювання становить 520 Вт.
Струм стоку
Максимально допустимий струм стоку становить 350 А. Максимально допустимий струм стоку — 350 А.
Робоча напруга та корпус
Максимальна напруга стік-витік дорівнює 75 В. Компоненти виконані в корпусі TO247AC із технологією HEXFET®, з типом монтажу THT.
Комплектація
У комплекті постачається 3 транзистори. У комплекті 3 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 520 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 350 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴