Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4229PBF, 250V, 44A, TO247AC (набір 10 шт.)
2 400 ₴
- В наявності
- Код: TM074459
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4229PBF, 250V, 44A, TO247AC (набір 10 шт.)В наявності
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4229PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247AC для монтажу на плату. Комплект складається з 10 одиниць.
- Набір із 10 транзисторів
- Корпус TO247AC для монтажу THT
- Напруга стік-виток 250 В
- Струм стоку 44 А
- Потужність розсіювання 310 Вт
- Опір у відкритому стані 46 мОм
Технічні параметри
Прилад має напругу стік-виток 250 В та максимальний струм стоку 44 А. Потужність розсіювання становить 310 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 46 мОм.
Особливості конструкції
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®. Напруга затвор-виток обмежена ±30 В, а заряд затвора становить 72 нКл. Монтаж виконується методом THT (через отвори). Транзистор є уніполярним із каналом збагачення типу N-MOSFET. Напруга затвор-виток становить ±30 В, а заряд затвора — 72 нКл. Символ виробника: IRFP4229PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 310 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 46 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 400 ₴