Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP3415PBF, 150В, 43А, TO247AC (набір 10 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035862
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP3415PBF, 150В, 43А, TO247AC (набір 10 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP3415PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247AC для монтажу на плату. Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 150 В
- Максимальний струм дрена: 43 А
- Потужність розсіювання: 200 Вт
- Опір у стані провідності: 42 мОм
- Корпус: TO247AC, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 150 В та струмом дрена до 43 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 42 мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виготовлений у корпусі TO247AC із технологією HEXFET®. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори на платі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴