Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP2907PBF, 75В, 209А, TO247AC (набір 5 шт.)
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM074457
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP2907PBF, 75В, 209А, TO247AC (набір 5 шт.)В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP2907PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247AC для монтажу на плату. Комплект складається з 5 одиниць.
- Струм стоку до 209 А
- Напруга стік-витік 75 В
- Розсіювана потужність 330 Вт
- Опір відкритого каналу 4,5 мОм
- Корпус TO247AC для вивідного монтажу
- Комплект із 5 транзисторів
Потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 209 А та напругу стік-витік 75 В. Максимальна розсіювана потужність становить 330 Вт.
Низький опір відкритого каналу
Опір у стані провідності (RDS(on)) дорівнює 4,5 мОм.
Технологія та монтаж
Використовується технологія HEXFET®. Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO247AC.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 209 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴