Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP260NPBF, 200В, 35А, TO247AC (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP260NPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи з навантаженнями до 200 В та струмом 35 А. Пакет із 10 штук забезпечує запас деталей для серійного монтажу або ремонту обладнання.

• Струм стоку до 35 А
• Напруга стік-витік 200 В
• Потужність розсіювання 300 Вт
• Опір у стані провідності 40 мОм
• Корпус TO247AC для монтажу THT
• Набір із 10 транзисторів

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати потужність до 300 Вт, що дозволяє використовувати його в силових схемах без надмірного перегріву. Такий показник важливий для стабілізаторів напруги та інверторів, де компоненти працюють під значним навантаженням.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 40 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання корпусу під час роботи. Це підвищує загальний ККД пристрою та дозволяє зменшити розміри радіаторів охолодження.

Зручний монтаж у корпусі TO247AC

Компонент виконаний у корпусі TO247AC із технологією виведення на монтаж (THT), що спрощує паяння на друковані плати. Корпус забезпечує надійний контакт із радіатором та зручність у обслуговуванні.

Технологія HEXFET®

Використання технології HEXFET® від Infineon гарантує стабільні характеристики та високу надійність транзистора. Це робить компонент придатним для застосування в промисловій та побутовій електроніці.

Комплектація

У комплекті постачається 10 транзисторів IRFP260NPBF, що є оптимальним набором для майстрів та виробників.