Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP250MPBF, 200V, 30A, TO247AD (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRFP250MPBF у корпусі TO247AD. Це потужні напівпровідникові прилади для силових електронних схем із номінальною напругою 200 В та струмом 30 А.

• Напруга дренаж-виток: 200 В
• Струм дренажу: 30 А
• Розсіювана потужність: 214 Вт
• Корпус: TO247AD (THT монтаж)
• Опір у стані провідності: 75 мОм
• Кількість у наборі: 10 шт.

Потужність та надійність

Транзистори IRFP250MPBF розраховані на розсіювання потужності до 214 Вт, що дозволяє використовувати їх у високонавантажених пристроях. Технологія HEXFET® забезпечує стабільну роботу та ефективне розсіювання тепла. Номінальний струм дренажу становить 30 А, що підходить для керування потужними навантаженнями.

Електричні параметри

Максимальна напруга між дренажем та витоком дорівнює 200 В, а напруга на затворі — ±20 В. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 75 мОм, що мінімізує втрати енергії при роботі. Загальний заряд затвора — 123 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у стандартному корпусі TO247AD, який забезпечує зручне кріплення до радіатора. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT), що спрощує пайку та заміну елементів у платах. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode), що є стандартним для більшості силових MOSFET.

Тип каналу та керування затвором## Комплектація

Упаковка містить 10 транзисторів IRFP250MPBF. Це вигідне рішення для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька однакових компонентів.