Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP150NPBF, 100В, 30А, TO247AC (набір 10 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035861
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP150NPBF, 100В, 30А, TO247AC (набір 10 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP150NPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі TO247AC для монтажу на плату (THT) і поставляється набором із 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 30 А
- Розсіювана потужність: 160 Вт
- Опір у відкритому стані: 36 мОм
- Корпус: TO247AC, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 160 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 36 мОм.
Керування та технологія
Пристрій використовує технологію HEXFET®. Напруга керування затвор-джерело (Vgs) становить ±20 В, а повний заряд затвора (Qg) — 110 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴