Транзистор N-MOSFET Infineon IRFML8244TRPBF, 25В, 5,8А, SOT23 (70 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM035860
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFML8244TRPBF, 25В, 5,8А, SOT23 (70 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFML8244TRPBF — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Комплект складається з 70 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 25 В
- Струм дрена: 5,8 А
- Опір у стані провідності: 24 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 25 В та витримує струм дрена до 5,8 А. Опір у стані провідності становить 24 мОм. Заряд затвора дорівнює 5,4 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В.
Теплові характеристики та технологія
Потужність розсіювання обмежена 1,25 Вт. Використовується технологія HEXFET®.
Комплектація
У наборі постачається 70 транзисторів у корпусі SOT23.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 24 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴