Транзистор N-MOSFET Infineon IRFIZ44NPBF, 55В, 28А, TO220FP, набір 10 шт.
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM074452
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFIZ44NPBF, 55В, 28А, TO220FP, набір 10 шт.В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 польових транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IRFIZ44NPBF. Призначені для монтажу на плату (THT) у корпусі TO220FP.
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 55 В
- Струм стіка: 28 А
- Розсіювана потужність: 38 Вт
- Опір у відкритому стані: 24 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор має напругу стік-витік 55 В та струм стіка 28 А. Опір у відкритому стані становить 24 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 38 Вт.
Технологія HEXFET® та монтаж
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Монтаж виконується в отвори (THT) у корпусі TO220FP. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Заряд затвора та комплектація
Заряд затвора становить 43,3 нКл. У пакуванні знаходиться 10 транзисторів IRFIZ44NPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 38 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 28 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 24 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴