Транзистор N-MOSFET Vishay IRFIBE30GPBF, 800V, 1.4A, TO220FP (набір 10 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM035858
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFIBE30GPBF, 800V, 1.4A, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від бренду Vishay, модель IRFIBE30GPBF. Компоненти призначені для монтажу на плату (THT) у корпусі TO220FP. Ключові параметри: напруга дрена-джерела 800 В, струм дрена 1,4 А та розсіювана потужність 35 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 1,4 А
- Розсіювана потужність: 35 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Основні електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна напруга між дрена-джерелом становить 800 В. Робочий струм дрена обмежений значенням 1,4 А. Розсіювана потужність становить 35 Вт.
Монтаж та корпус
Компоненти виконані у корпусі TO220FP. Тип монтажу — THT (скрізний монтаж), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати.
Електричні параметри затвора та опору
Заряд затвора становить 78 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Опір у провідному стані дорівнює 3 Ом. Максимальна напруга на затворі-джерелі — ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴