Транзистор N-MOSFET Vishay IRFI640GPBF, 200V, 9.8A, TO220FP — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFI640GPBF — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу дрена-джерела до 200 В та постійний струм 9,8 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 200 В
• Струм дрена: 9,8 А (постійний), 39 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 40 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Набір: 10 шт.

Потужність та струмові характеристики

Транзистор має максимальну розсіювану потужність 40 Вт. Номінальний струм дрена становить 9,8 А, а імпульсний струм може досягати 39 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,18 Ом.

Напруга та керування затвором

Максимальна напруга між затвором та джерелом становить ±20 В. Загальний заряд затвора — 70 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).

Комплектація

Товар поставляється набором із 10 транзисторів.