Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH4234TRPBF, 25В, 22А, PQFN5X6, 100 шт.
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM074449
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH4234TRPBF, 25В, 22А, PQFN5X6, 100 шт.В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH4234TRPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 22 А при напрузі 25 В. Компонент виконаний у корпусі PQFN5X6 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію HEXFET®.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 25 В
- Струм стіка: 22 А
- Потужність розсіювання: 3,5 Вт
- Корпус: PQFN5X6, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 25 В та витримує струм стіка 22 А. Потужність розсіювання становить 3,5 Вт. Це уніполярний прилад типу N-MOSFET з каналом збагачення.
Корпус та монтаж
Компонент розміщений у корпусі PQFN5X6. Монтаж виконується методом SMD (Surface Mount Device).
Комплектація
Товар поставляється набором із 100 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.5 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | PQFN5X6 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴